BFP196E6327HTSA1, Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 700mW Automotive 4-Pin SOT-143 T/R

Фото 1/2 BFP196E6327HTSA1, Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 700mW Automotive 4-Pin SOT-143 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
25 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
от 9000 шт.23 руб.
Добавить в корзину 3000 шт. на сумму 75 000 руб.
Номенклатурный номер: 8003278036
Артикул: BFP196E6327HTSA1

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > RF BJT
РЧ биполярные транзисторы NPN Silicon RF TRANSISTOR

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 700 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 2.9 mm
Другие названия товара № SP000011027 BFP196E6327XT BFP196E6327HTSA1
Категория продукта РЧ биполярные транзисторы
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 70 at 50 mA at 8 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.1 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 20 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 12 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 2 V
Непрерывный коллекторный ток 0.1 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 7500 MHz
Рабочая частота 7.5 GHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия BFP196
Технология Si
Тип RF Bipolar Small Signal
Тип продукта RF Bipolar Transistors
Тип транзистора Bipolar
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка / блок SOT-143-4
Ширина 1.3 mm
Base Product Number BFP196 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 150mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 8V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 7.5GHz
Gain 10.5dB ~ 16.5dB
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-253-4, TO-253AA
Power - Max 700mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package PG-SOT143-4
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Maximum Collector Emitter Voltage 20 V
Maximum DC Collector Current 150 mA
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-143
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 551 КБ
Datasheet BFP 196 E6327
pdf, 546 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов