BFP 410 H6327

BFP 410 H6327
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
170 руб.
от 5 шт.140 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 170 руб.
Номенклатурный номер: 9001081345

Описание

РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTORS

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 150 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № SP000762244 BFP41H6327XT BFP410H6327XTSA1
Категория продукта РЧ биполярные транзисторы
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 60
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 4.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 1.5 V
Непрерывный коллекторный ток 40 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Рабочая частота 25 GHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия BFP410
Технология Si
Тип RF Bipolar Small Signal
Тип продукта RF Bipolar Transistors
Тип транзистора Bipolar
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка / блок SOT-343
Вес, г 0.007

Техническая документация

Datasheet BFP 410 H6327
pdf, 570 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов