BFP 410 H6327
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
170 руб.
от 5 шт. —
140 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 170 руб.
Описание
РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTORS
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Другие названия товара № | SP000762244 BFP41H6327XT BFP410H6327XTSA1 |
Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 4.5 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 1.5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 40 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Рабочая частота | 25 GHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | BFP410 |
Технология | Si |
Тип | RF Bipolar Small Signal |
Тип продукта | RF Bipolar Transistors |
Тип транзистора | Bipolar |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка / блок | SOT-343 |
Вес, г | 0.007 |
Техническая документация
Datasheet BFP 410 H6327
pdf, 570 КБ
Datasheet BFP410H6327XTSA1
pdf, 573 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов