IGB15N60TATMA1, IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
590 руб.
от 10 шт. —
460 руб.
от 100 шт. —
349 руб.
от 250 шт. —
312.96 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 590 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Описание Транзистор БТИЗ IGB15N60TATMA1 от производителя INFINEON – это высококачественный полупроводниковый компонент, предназначенный для монтажа в SMD-технологии. С устойчивым током коллектора в 15 А и напряжением коллектор-эмиттер в 600 В, этот IGBT транзистор является идеальным решением для управления мощной нагрузкой. Его мощность составляет 130 Вт, что обеспечивает надежность в широком спектре применений. Корпус PG-TO263-3 гарантирует простоту установки и долговечность использования. Используя IGB15N60TATMA1, вы получите эффективное и стабильное управление электронной схемой. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
| Монтаж | SMD |
| Ток коллектора, А | 15 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 600 |
| Мощность, Вт | 130 |
| Корпус | PG-TO263-3 |
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 26 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package/Case: | TO-263-3 |
| Part # Aliases: | IGB15N60T SP000054921 |
| Pd - Power Dissipation: | 130 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | Trenchstop IGBT3 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | TRENCHSTOP |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 26 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 130 W |
| Package Type | PG-TO263-3 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.43 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
