IPG16N10S461ATMA1, MOSFET MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

300 руб.

от 10 шт. — 240 руб.

от 100 шт. — 183 руб.

от 500 шт. — 147.03 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 300 руб.

Номенклатурный номер: 8005240712

Артикул: IPG16N10S461ATMA1

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор МОП-транзистор

Id - непрерывный ток утечки	16 A
Pd - рассеивание мощности	29 W
Qg - заряд затвора	7 nC, 7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	53 mOhms, 53 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	1 ns, 1 ns
Время спада	5 ns, 5 ns
Высота	1.27 mm
Длина	5.9 mm
Другие названия товара №	IPG16N10S4-61 IPG16N1S461XT SP000892972
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Квалификация	AEC-Q101
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	5000
Серия	IPG16N10
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	2 N-Channel
Типичное время задержки выключения	5 ns, 5 ns
Типичное время задержки при включении	3 ns, 3 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка / блок	TDSON-8
Ширина	5.15 mm
Вес, г	0.096

pdf, 141 КБ

Мы рекомендуем