IRF820APBF-BE3

IRF820APBF-BE3
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
845 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
310 руб.
от 10 шт.280 руб.
от 25 шт.258 руб.
от 100 шт.220.90 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 310 руб.
Номенклатурный номер: 8005289113
Производитель: Vishay Siliconix

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 500V N-CH HEXFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 2.5 A
Pd - рассеивание мощности 50 W
Qg - заряд затвора 17 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 3 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4.5 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 12 ns
Время спада 13 ns
Другие названия товара № IRF820APBF
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия IRF
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Типичное время задержки выключения 16 ns
Типичное время задержки при включении 8.1 ns
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220AB-3

Дополнительная информация

Datasheet IRF820APBF-BE3

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах