IRF820APBF-BE3, MOSFET 500V N-CH HEXFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

510 руб.

от 10 шт. — 390 руб.

от 100 шт. — 304 руб.

от 250 шт. — 260.82 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 510 руб.

Номенклатурный номер: 8005289113

Артикул: IRF820APBF-BE3

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор 500V N-CH HEXFET

Id - непрерывный ток утечки	2.5 A
Pd - рассеивание мощности	50 W
Qg - заряд затвора	17 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	3 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	500 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4.5 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	12 ns
Время спада	13 ns
Другие названия товара №	IRF820APBF
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	IRF
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Типичное время задержки выключения	16 ns
Типичное время задержки при включении	8.1 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220AB-3
Вес, г	1

pdf, 279 КБ

Мы рекомендуем