IRFZ48SPBF, MOSFET N-Channel 60V Power MOSFET

IRFZ48SPBF, MOSFET N-Channel 60V Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
900 руб.
от 10 шт.720 руб.
от 25 шт.640 руб.
от 100 шт.511.41 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 900 руб.
Номенклатурный номер: 8005289123
Артикул: IRFZ48SPBF

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор N-Channel 60V Power МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 50 A
Pd - рассеивание мощности 190 W
Qg - заряд затвора 110 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 18 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 250 ns
Время спада 250 ns
Высота 4.83 mm
Длина 10.67 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 27 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия IRFZ
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 210 ns
Типичное время задержки при включении 8.1 ns
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка Reel, Cut Tape
Упаковка / блок TO-263-3
Ширина 9.65 mm
Brand Vishay Semiconductors
Factory Pack Quantity 1000
Height 4.83 mm
Length 10.67 mm
Manufacturer Vishay
Package / Case TO-263-3
Packaging Reel
Product Category MOSFET
RoHS Details
Series IRF
Technology Si
Tradename TrenchFET
Unit Weight 0.050717 oz
Width 9.65 mm
Вес, г 94

Техническая документация

Datasheet IRFZ48SPBF
pdf, 397 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов