IRFZ48SPBF, MOSFET N-Channel 60V Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
900 руб.
от 10 шт. —
720 руб.
от 25 шт. —
640 руб.
от 100 шт. —
511.41 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 900 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор N-Channel 60V Power МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
Pd - рассеивание мощности | 190 W |
Qg - заряд затвора | 110 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 18 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 250 ns |
Время спада | 250 ns |
Высота | 4.83 mm |
Длина | 10.67 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 27 S |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | IRFZ |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 210 ns |
Типичное время задержки при включении | 8.1 ns |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Ширина | 9.65 mm |
Brand | Vishay Semiconductors |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Height | 4.83 mm |
Length | 10.67 mm |
Manufacturer | Vishay |
Package / Case | TO-263-3 |
Packaging | Reel |
Product Category | MOSFET |
RoHS | Details |
Series | IRF |
Technology | Si |
Tradename | TrenchFET |
Unit Weight | 0.050717 oz |
Width | 9.65 mm |
Вес, г | 94 |
Техническая документация
Datasheet IRFZ48SPBF
pdf, 397 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов