IRF730APBF, MOSFET 400V N-CH HEXFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

540 руб.

от 10 шт. — 420 руб.

от 100 шт. — 334 руб.

от 500 шт. — 265.94 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 540 руб.

Номенклатурный номер: 8005359560

Артикул: IRF730APBF

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор N-Chan 400V 5.5 Amp

Id - непрерывный ток утечки	5.5 A
Pd - рассеивание мощности	74 W
Qg - заряд затвора	22 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	400 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	22 ns
Время спада	16 ns
Высота	15.49 mm
Длина	10.41 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	3.1 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Серия	IRF
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	20 ns
Типичное время задержки при включении	10 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.7 mm
Transistor Polarity	N Channel; Continuous Drain Current Id
Вес, г	9