IRF840SPBF, транзистор N канал 500В 8А D2Pak
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
190 руб.
от 25 шт. —
170 руб.
от 100 шт. —
150 руб.
от 175 шт. —
146.78 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 190 руб.
Описание
транзисторы полевые импортные
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 500В 8A 3,1Вт TO263 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Корпус | D2Pak-2 |
| Крутизна характеристики S,А/В | 4.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 850 |
| Структура | N-канал |
| Температура, С | -55…+150 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 8A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W(Ta), 125W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 4.8A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 850 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 3.1 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Width | 9.65mm |
| Вес, г | 1 |
