IRFBC40ASPBF, MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 270 руб.
от 10 шт. —
1 060 руб.
от 25 шт. —
903 руб.
от 100 шт. —
723.64 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 270 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор N-Chan 600V 6.2 Amp
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 6.2 A |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Qg - заряд затвора | 42 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.2 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 4.83 mm |
| Длина | 10.67 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | IRFBC |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Ширина | 9.65 mm |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 6.2 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1200 10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 125000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 2 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 18 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 42(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 42(Max)10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1036 25V |
| Typical Rise Time (ns) | 23 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 31 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 13 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 6.2A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1036pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Power Dissipation (Max) | 125W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 3.7A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 1.438 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
