IRFBC40LCPBF, MOSFET 600V N-CH HEXFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 300 руб.
от 10 шт. —
1 010 руб.
от 25 шт. —
799 руб.
от 100 шт. —
662.28 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 300 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 3,9А, 125Вт, TO220AB Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 6.2 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1200@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 125000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | LCDMOS |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 17 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 39(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 39(Max)@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1100@25V |
| Typical Rise Time (ns) | 20 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 27 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 12 |
| Вес, кг | 6.74 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 149 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
