IRFP150PBF

IRFP150PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1332 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
640 руб.
от 10 шт.570 руб.
от 25 шт.552 руб.
от 100 шт.476.68 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 640 руб.
Номенклатурный номер: 8005359672
Производитель: Vishay Semiconductor Opto Division

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 100V N-CHANNEL HEXFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 41 A
Pd - рассеивание мощности 230 W
Qg - заряд затвора 140 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 55 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 120 ns
Время спада 81 ns
Высота 20.82 mm
Длина 15.87 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 13 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 500
Серия IRFP
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 60 ns
Типичное время задержки при включении 16 ns
Торговая марка Vishay Semiconductors
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Ширина 5.31 mm
Вес, г 4.6

Дополнительная информация

Datasheet IRFP150PBF

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах