Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › IRL540PBF, MOSFET 100V N-CH HEXFET

IRL540PBF, MOSFET 100V N-CH HEXFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

560 руб.

от 10 шт. — 420 руб.

от 100 шт. — 331 руб.

от 250 шт. — 301.73 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 560 руб.

Номенклатурный номер: 8005359789

Артикул: IRL540PBF

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 20А, 150Вт, TO220AB Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	28 A
Pd - рассеивание мощности	150 W
Qg - заряд затвора	64 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	77 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	5 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	170 ns
Время спада	80 ns
Высота	15.49 mm
Длина	10.41 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	12 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	8.5 ns
Типичное время задержки при включении	35 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.7 mm
Base Product Number	IRL540 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	28A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	64nC @ 5V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2200pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Other Related Documents	http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf
Package	Tube
Package / Case	TO-220-3
Power Dissipation (Max)	150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	77mOhm @ 17A, 5V
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-220AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250ВµA
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant
Maximum Continuous Drain Current (A)	28
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	77 5V
Maximum Drain Source Voltage (V)	100
Maximum Gate Source Voltage (V)	±10
Maximum Operating Temperature (°C)	175
Maximum Power Dissipation (mW)	150000
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Part Status	Active
PCB changed	3
Pin Count	3
PPAP	No
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	TO-220
Supplier Package	TO-220
Tab	Tab
Typical Fall Time (ns)	80
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	64(Max)5V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	2200 25V
Typical Rise Time (ns)	170
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	35
Typical Turn-On Delay Time (ns)	8.5
Drain Source On State Resistance	0.077Ом
Power Dissipation	150Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	5В
Напряжение Истока-стока Vds	100В
Непрерывный Ток Стока	28А
Пороговое Напряжение Vgs	2В
Рассеиваемая Мощность	150Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.077Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220AB
FET Feature	-
Manufacturer	Vishay Siliconix
Packaging	Tube
Series	-
Вес, г	6