IRL540SPBF, MOSFET 100V N-CH HEXFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
740 руб.
от 10 шт. —
550 руб.
от 100 шт. —
443 руб.
от 250 шт. —
400.90 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 740 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 100V N-CH HEXFET
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 28 A |
| Pd - рассеивание мощности | 150 W |
| Qg - заряд затвора | 64 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 77 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Base Product Number | IRL540 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 28A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 5V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77mOhm @ 17A, 5V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.10.00.80 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Configuration | Single |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±10 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 28 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 77@5V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 64(Max)@5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2200@25V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3700 |
| Typical Fall Time (ns) | 80 |
| Typical Rise Time (ns) | 170 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 35 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8.5 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Automotive | No |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Pin Count | 3 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Height | 4.83(Max) |
| Package Length | 10.41(Max) |
| Package Width | 9.65(Max) |
| PCB changed | 2 |
| Tab | Tab |
| FET Feature | - |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Series | - |
| Вес, г | 1.438 |
Техническая документация
Datasheet IRL540SPBF
pdf, 305 КБ
Datasheet IRL540SPBF
pdf, 313 КБ
Datasheet IRL540SPBF
pdf, 273 КБ
Документация
pdf, 295 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
