TIP36AG, Bipolar Transistors - BJT 25A 60V 125W PNP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 080 руб.
от 10 шт. —
910 руб.
от 30 шт. —
624 руб.
от 120 шт. —
531.87 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 080 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
Brand: | onsemi |
Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.8 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 25 A |
DC Collector/Base Gain hFE Min: | 25 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: | 30 |
Gain Bandwidth Product fT: | 3 MHz |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum DC Collector Current: | 25 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package/Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 125 W |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | PNP |
Вес, г | 7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 260 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов