AUIRF7341QTR, MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 50mOhms

Фото 1/2 AUIRF7341QTR, MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 50mOhms
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
710 руб.
от 10 шт.600 руб.
от 100 шт.434 руб.
от 250 шт.399.13 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 710 руб.
Номенклатурный номер: 8005401510
Артикул: AUIRF7341QTR
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Технические параметры

Brand: Infineon/IR
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Dual
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 4000
Fall Time: 12.5 ns
Forward Transconductance - Min: 10.4 S
Id - Continuous Drain Current: 5.1 A
Manufacturer: Infineon
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 2 Channel
Package/Case: SOIC-8
Packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel
Part # Aliases: AUIRF7341QTR SP001515768
Pd - Power Dissipation: 2.4 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 29 nC
Qualification: AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance: 65 mOhms
Rise Time: 7.7 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 2 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 31 ns
Typical Turn-On Delay Time: 9.2 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 55 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V
Brand Infineon/IR
Channel Mode Enhancement
Configuration Dual
Factory Pack Quantity 4000
Fall Time 12.5 ns
Id - Continuous Drain Current 5.1 A
Manufacturer Infineon
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Number Of Channels 2 Channel
Package / Case SO-8
Packaging Cut Tape or Reel
Part # Aliases SP001515768
Pd - Power Dissipation 2.4 W
Product Category MOSFET
Product Type MOSFET
Qg - Gate Charge 29 nC
Qualification AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance 65 mOhms
Rise Time 7.7 ns
Subcategory MOSFETs
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 2 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 31 ns
Typical Turn-On Delay Time 9.2 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 55 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Вес, г 0.54

Техническая документация

Datasheet
pdf, 405 КБ
Datasheet
pdf, 405 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов