Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › AUIRFR5305TRL, MOSFET AUTO -55V 1 P-CH HEXFET ...

AUIRFR5305TRL, MOSFET AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

850 руб.

от 10 шт. — 670 руб.

от 25 шт. — 623 руб.

от 100 шт. — 478.49 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 850 руб.

Номенклатурный номер: 8005401546

Артикул: AUIRFR5305TRL

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	31 A
Pd - рассеивание мощности	110 W
Qg - заряд затвора	63 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	65 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	55 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	66 ns
Время спада	63 ns
Высота	2.3 mm
Длина	6.5 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Квалификация	AEC-Q101
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	8 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	P-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	39 ns
Типичное время задержки при включении	14 ns
Торговая марка	Infineon / IR
Упаковка / блок	TO-252-3
Ширина	6.22 mm
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	31 A
Maximum Drain Source Resistance	0.065 Ω
Maximum Drain Source Voltage	55 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	DPAK(TO-252)
Pin Count	3
Series	HEXFET
Transistor Material	Si
Вес, г	4