AUIRFR5410TRL, MOSFET AUTO -100V 1 P-CH HEXFET 205mOhms
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
820 руб.
от 10 шт. —
660 руб.
от 25 шт. —
635 руб.
от 100 шт. —
478.17 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 820 руб.
Описание
The Infineon p channel MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on resistance per silicon area.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Maximum Continuous Drain Current | 13 A |
Maximum Drain Source Resistance | 0.205 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Series | AUIRF |
Transistor Material | Silicon |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 318 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов