AUIRFR5410TRL, MOSFET AUTO -100V 1 P-CH HEXFET 205mOhms

AUIRFR5410TRL, MOSFET AUTO -100V 1 P-CH HEXFET 205mOhms
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
820 руб.
от 10 шт.660 руб.
от 25 шт.635 руб.
от 100 шт.478.17 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 820 руб.
Номенклатурный номер: 8005401548
Артикул: AUIRFR5410TRL

Описание

The Infineon p channel MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on resistance per silicon area.

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Maximum Continuous Drain Current 13 A
Maximum Drain Source Resistance 0.205 Ω
Maximum Drain Source Voltage 100 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type DPAK(TO-252)
Pin Count 3
Series AUIRF
Transistor Material Silicon
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 318 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов