IRF1010ZPBF, MOSFET MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
590 руб.
от 10 шт. —
460 руб.
от 100 шт. —
348 руб.
от 250 шт. —
299.18 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 590 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
Описание Транзистор полевой IRF1010ZPBF от известного производителя INFINEON обеспечивает высокую производительность для широкого спектра электронных применений. С монтажом THT, этот N-MOSFET транзистор способен управлять током стока до 94 А при напряжении сток-исток 55 В, что делает его идеальным для мощных задач. Мощность устройства достигает 140 Вт, а сопротивление в открытом состоянии всего 0,0075 Ом, гарантируя высокую эффективность и минимизацию потерь в цепи. Корпус TO220AB обеспечивает надежную защиту и удобство при монтаже. Приобретая IRF1010ZPBF, вы получаете надежный компонент для вашей электроники. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 94 |
| Напряжение сток-исток, В | 55 |
| Мощность, Вт | 140 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0075 |
| Корпус | TO220AB |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 94 A |
| Pd - рассеивание мощности | 140 W |
| Qg - заряд затвора | 63 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 15.65 mm |
| Длина | 10 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.4 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 94 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 8 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 140 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Series | HEXFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Width | 4.69mm |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A(Tc) |
| Design Resources | IRF1010ZL Saber ModelIRF1010ZL Spice Model |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Family | FETs-Single |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 95nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2840pF @ 25V |
| Online Catalog | N-Channel Standard FETs |
| Other Names | *IRF1010ZPBF |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| PCN Assembly/Origin | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 |
| Power - Max | 140W |
| Product Training Modules | High Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 75A, 10V |
| Standard Package | 50 |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Вес, кг | 8.91 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 353 КБ
Datasheet IRF1010ZPBF
pdf, 399 КБ
Документация
pdf, 407 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
