IRF5305STRRPBF

IRF5305STRRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
294 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
250 руб.
от 10 шт.210 руб.
от 100 шт.158 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 250 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8005401842
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 30V 1 N-CH 60mOhm HEXFET -31A ID

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 31 A
Pd - рассеивание мощности 110 W
Qg - заряд затвора 42 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 60 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 55 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 66 ns
Время спада 63 ns
Высота 2.3 mm
Длина 6.5 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора P-Channel
Размер фабричной упаковки 800
Технология Si
Тип HEXFET Power MOSFET
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения 39 ns
Типичное время задержки при включении 14 ns
Торговая марка Infineon / IR
Упаковка / блок TO-252-3
Ширина 6.22 mm
Вес, г 4

Дополнительная информация

Datasheet IRF5305STRRPBF

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах