IRF540ZPBF, MOSFET MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

290 руб.

от 10 шт. — 230 руб.

от 100 шт. — 180 руб.

от 500 шт. — 149.08 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 290 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8005401847

Артикул: IRF540ZPBF

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 36А, 92Вт, TO220AB Характеристики

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	36A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	92W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance	26.5mО© @ 22A,10V
Transistor Polarity	N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100V
Vgs - Gate-Source Voltage	4V @ 250uA
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	36 A
Maximum Drain Source Resistance	27 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	92 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220AB
Pin Count	3
Series	HEXFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	42 nC @ 10 V
Width	4.69mm
Вес, г	6