IRF7341GTRPBF, MOSFET PLANAR 40 - 100V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
550 руб.
от 10 шт. —
420 руб.
от 100 шт. —
329 руб.
от 250 шт. —
304.29 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 550 руб.
Описание
HEXFET® power MOSFET utilize the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
• Advanced process technology
• Dual N-channel MOSFET
• Ultra-low on-resistance
• 175°C operating temperature
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Технические параметры
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | HEXFET |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 55В |
| Непрерывный Ток Стока | 5.1А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.7Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.043Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.1 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 65 mO |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SO-8 |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.5066 |
Техническая документация
Datasheet IRF7341GTRPBF
pdf, 199 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
