AUIRF5210STRL, MOSFET Automotive MOSFET P 38A 150nC D2Pak
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 760 руб.
от 10 шт. —
1 490 руб.
от 25 шт. —
1 400 руб.
от 100 шт. —
1 117.43 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 760 руб.
Описание
The Infineon P-channel automotive MOSFET. It is specifically designed for automotive applications. This cellular design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area.
Технические параметры
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 38 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.06 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Series | HEXFET |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 295 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
