IRFP460BPBF, MOSFET 500V 250mOhm@10V 20A N-Ch D-SRS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 000 руб.
от 10 шт. —
790 руб.
от 25 шт. —
708 руб.
от 100 шт. —
566.43 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 000 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 500V 250mOhm@10V 20A N-Ch D-SRS
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
Pd - рассеивание мощности | 278 W |
Qg - заряд затвора | 85 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 250 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 31 ns |
Время спада | 56 ns |
Высота | 20.82 mm |
Длина | 15.87 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 12 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Серия | IRFP |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 117 ns |
Типичное время задержки при включении | 24 ns |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-247AC-3 |
Ширина | 5.31 mm |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
Maximum Drain Source Resistance | 250 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 278 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247AC |
Pin Count | 3 |
Series | D Series |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 85 nC @ 10 V |
Width | 5.31mm |
Вес, г | 605 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов