SIHB11N80AE-GE3, MOSFET 800V N-CH MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

630 руб.

от 10 шт. — 500 руб.

от 100 шт. — 380 руб.

от 250 шт. — 352.87 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 630 руб.

Номенклатурный номер: 8006227036

Артикул: SIHB11N80AE-GE3

The Vishay E Series Power MOSFET has D2PAK (TO-263) package type with single configuration. Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	8 A
Maximum Drain Source Resistance	0.391 Ω
Maximum Drain Source Voltage	800 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2 → 4V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	D2PAK(TO-263)
Pin Count	3
Series	E
Вес, г	1

pdf, 199 КБ

Мы рекомендуем