IRLML2246TRPBF, MOSFET MOSFT PCh -20V -2.6A 135mOhm -2.5V cpbl
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
от 10 шт. —
89 руб.
от 100 шт. —
43 руб.
от 1000 шт. —
31.17 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -2,6А, 1,3Вт, SOT23 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 2.6A |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1.3W |
Rds On - Drain-Source Resistance | 135mО© @ 2.6A,4.5V |
Transistor Polarity | P Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 1.1V @ 10uA |
Крутизна характеристики S,А/В | 3.4 |
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -1.1 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 135 |
Температура, С | -55…+150 |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Maximum Continuous Drain Current | 2.6 A |
Maximum Drain Source Resistance | 236 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1.3 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Series | HEXFET |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 2.9 nC @ 4.5 V |
Width | 1.4mm |
Вес, кг | 7.4 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов