2SC5706-TL-H, RF Bipolar Transistors BIP NPN 5A 50V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
300 руб.
от 10 шт. —
230 руб.
от 100 шт. —
169 руб.
от 700 шт. —
129.07 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 300 руб.
Технические параметры
Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
Maximum DC Collector Current | 5 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 15 W |
Minimum DC Current Gain | 200 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TP-FA |
Pin Count | 4 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet 2SA2039, 2SC5706
pdf, 418 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов