2SC5706-TL-H, RF Bipolar Transistors BIP NPN 5A 50V

2SC5706-TL-H, RF Bipolar Transistors BIP NPN 5A 50V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
300 руб.
от 10 шт.230 руб.
от 100 шт.169 руб.
от 700 шт.129.07 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 300 руб.
Номенклатурный номер: 8006236909
Артикул: 2SC5706-TL-H

Технические параметры

Maximum Collector Base Voltage 100 V
Maximum Collector Emitter Voltage 50 V
Maximum DC Collector Current 5 A
Maximum Emitter Base Voltage 6 V
Maximum Operating Frequency 1 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 15 W
Minimum DC Current Gain 200
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type TP-FA
Pin Count 4
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов