BFP 405F H6327, RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR

BFP 405F H6327, RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
140 руб.
от 10 шт.120 руб.
от 100 шт.82 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 140 руб.
Номенклатурный номер: 8006357662
Артикул: BFP 405F H6327

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\РЧ транзисторы\РЧ биполярные транзисторы
РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTOR

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 55 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № BFP405FH6327XTSA1 BFP45FH6327XT SP000745258
Категория продукта РЧ биполярные транзисторы
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 130
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 4.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 1.5 V
Непрерывный коллекторный ток 12 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 25 GHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия BFP405
Технология Si
Тип RF Bipolar Small Signal
Тип продукта RF Bipolar Transistors
Тип транзистора Bipolar
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка / блок TSFP-4
Вес, г 0.2

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов