AUIRLR2905ZTRL, MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
540 руб.
от 10 шт. —
460 руб.
от 100 шт. —
385 руб.
от 250 шт. —
341.41 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 540 руб.
Описание
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A Автомобильный 3-контактный (2 вывода) DPAK T / R
Технические параметры
| Automotive | Yes |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Material | Si |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 60 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 13.5 10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 55 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±16 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 110000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Unconfirmed |
| PCB changed | 2 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | Unknown |
| Process Technology | HEXFET |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Supplier Package | DPAK |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 33 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 23 5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1570 25V |
| Typical Rise Time (ns) | 130 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 24 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14 |
| Вес, г | 7 |
Техническая документация
Datasheet AUIRLR2905ZTRL
pdf, 655 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
