MMBF170
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
600 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
55 руб.
от 10 шт. —
38 руб.
от 100 шт. —
21.80 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 220 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8006462518
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 500мА, 300мВт, SOT23 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 500mA(Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 40pF @ 10V |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300mW(Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 200mA, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 500 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 5 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Width | 1.3mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 500 mA |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | MMBF170_NL |
| Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5 Ohms |
| Series: | MMBF170 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 904 КБ
MMBF170
pdf, 1298 КБ
Документация
pdf, 903 КБ
BS170, MMBF170
pdf, 837 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
