IRF640NPBF

IRF640NPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
21886 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
200 руб.
от 10 шт.180 руб.
от 25 шт.164 руб.
от 100 шт.134.37 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 200 руб.
Номенклатурный номер: 8006484320
Производитель: Infineon / IR

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 18 A
Pd - рассеивание мощности 150 W
Qg - заряд затвора 44.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 150 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 200 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 19 ns
Время спада 5.5 ns
Высота 15.65 mm
Длина 10 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 6.8 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 23 ns
Типичное время задержки при включении 10 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.4 mm
Вес, г 6

Дополнительная информация

Datasheet IRF640NPBF

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах