Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › IRFP360LCPBF

IRFP360LCPBF

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 800 руб.

от 25 шт. — 1 230 руб.

от 100 шт. — 983 руб.

от 500 шт. — 812.87 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 800 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8006626699

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 400В, 14А, 280Вт, TO247AC Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Base Product Number	IRFP360 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	23A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	400V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3400pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-247-3
Power Dissipation (Max)	280W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200mOhm @ 14A, 10V
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-247-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
EU RoHS	Compliant
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
HTS	8541.21.00.95
Product Category	Power MOSFET
Configuration	Single
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Number of Elements per Chip	1
Maximum Drain Source Voltage (V)	400
Maximum Gate Source Voltage (V)	±30
Maximum Continuous Drain Current (A)	23
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	200@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	110(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	110(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	3400@25V
Maximum Power Dissipation (mW)	280000
Typical Fall Time (ns)	50
Typical Rise Time (ns)	75
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	42
Typical Turn-On Delay Time (ns)	16
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Automotive	No
Pin Count	3
Supplier Package	TO-247AC
Standard Package Name	TO-247
Military	No
Mounting	Through Hole
Package Height	20.82(Max)
Package Length	15.87(Max)
Package Width	5.31(Max)
PCB changed	3
Tab	Tab
Lead Shape	Through Hole
Id - непрерывный ток утечки	23 A
Pd - рассеивание мощности	280 W
Qg - заряд затвора	110 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	200 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	400 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	75 ns
Время спада	50 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	13 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	500
Серия	IRFP
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	42 ns
Типичное время задержки при включении	16 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247AC-3
Maximum Continuous Drain Current	23 A
Maximum Drain Source Resistance	200 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	400 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	280 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Package Type	TO-247AC
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	110 nC @ 10 V
Width	5.31mm
Вес, г	121