IRF1405ZLPBF
740 руб.
от 50 шт. —
480 руб.
от 100 шт. —
447 руб.
от 500 шт. —
343.48 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 740 руб.
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N-канал 55V 75A (Tc) 230W (Tc) сквозное отверстие TO-262
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4780pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA |
| Power Dissipation (Max) | 230W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 75A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Series | HEXFETВ® -> |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 396 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
