IRF820PBF, Транзистор, N-канал 500В 2.5А [TO-220AB]

Фото 1/7 IRF820PBF, Транзистор, N-канал 500В 2.5А [TO-220AB]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
140 руб.
от 15 шт.113 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 140 руб.
Номенклатурный номер: 24480
Артикул: IRF820PBF

Описание

The Vishay third generation power MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 3 Ом/1.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 50
Крутизна характеристики, S 1.5
Корпус TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе 2…4
Вес, г 2.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 131 КБ
Datasheet
pdf, 271 КБ
Datasheet IRF820PBF
pdf, 269 КБ
IRF820 Datasheet
pdf, 169 КБ
Документация
pdf, 275 КБ
Datasheet IRF820
pdf, 150 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов