Транзистор FDP18N50

Фото 2/2 Транзистор FDP18N50
Фото 1/2 Транзистор FDP18N50
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
40 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
210 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 210 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8007482250
Артикул: FDP18N50
Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание

Транзисторы

FDP18N50 - это N-канальный МОП-транзистор UniFET ™ на 500 В на основе планарной полосы и технологии DMOS. Этот полевой МОП-транзистор предназначен для уменьшения сопротивления в открытом состоянии и обеспечения лучшей коммутационной способности и большей устойчивости к лавинной энергии. Характеристики обратного восстановления основного диода UniFET FRFET® MOSFET были улучшены за счет управления сроком службы. Его trr составляет менее 100 нс, а обратная невосприимчивость к dv / dt составляет 15 В / нс, в то время как нормальные планарные полевые МОП-транзисторы имеют более 200 нс и 4,5 В / нс соответственно. Следовательно, он может удалить дополнительный компонент и повысить надежность системы в некоторых приложениях, в которых производительность внутреннего диода MOSFET является значительной. Это семейство устройств подходит для импульсных преобразователей мощности, таких как коррекция коэффициента мощности (PFC), питание телевизоров с плоскими дисплеями (FPD), ATX и балласты для электронных ламп. Этот продукт универсален и подходит для множества различных приложений.

• Низкий заряд затвора
• 100% тестирование на лавину

Технические параметры

Maximum Operating Temperature +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 10.36mm
Brand ON Semiconductor
Package Type TO-220
Maximum Power Dissipation 235 Вт
Mounting Type Монтаж на плату в отверстия
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 4.9мм
Высота 9.19мм
Pin Count 3
Dimensions 10.36 x 4.9 x 9.19mm
Base Product Number FDP18 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2860pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power Dissipation (Max) 235W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 265mOhm @ 9A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series UniFETв„ў ->
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250ВµA

Техническая документация

FDP18N50
pdf, 963 КБ
Datasheet FDP18N50
pdf, 963 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах