IRF3805STRL-7PP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 270 руб.
от 10 шт. —
950 руб.
от 100 шт. —
691 руб.
от 800 шт. —
571.47 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 270 руб.
Описание
This Infineon HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 240 A |
Maximum Drain Source Resistance | 0.0026 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | D2PAK-7 |
Pin Count | 7 |
Series | HEXFET |
Вес, г | 2.06 |
Техническая документация
IRF3805S-7PPBF Datasheet
pdf, 308 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов