IRF3805STRL-7PP

Фото 1/2 IRF3805STRL-7PP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 270 руб.
от 10 шт.950 руб.
от 100 шт.691 руб.
от 800 шт.571.47 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 270 руб.
Номенклатурный номер: 8007512819

Описание

This Infineon HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.

Технические параметры

Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 240 A
Maximum Drain Source Resistance 0.0026 Ω
Maximum Drain Source Voltage 55 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type D2PAK-7
Pin Count 7
Series HEXFET
Вес, г 2.06

Техническая документация

IRF3805S-7PPBF Datasheet
pdf, 308 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов