Транзистор полевой STD3NK60ZT4

Фото 2/7 Транзистор полевой STD3NK60ZT4Фото 3/7 Транзистор полевой STD3NK60ZT4Фото 4/7 Транзистор полевой STD3NK60ZT4Фото 5/7 Транзистор полевой STD3NK60ZT4Фото 6/7 Транзистор полевой STD3NK60ZT4Фото 7/7 Транзистор полевой STD3NK60ZT4
Фото 1/7 Транзистор полевой STD3NK60ZT4
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
880 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
26 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 26 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8007753763
Артикул: STD3NK60ZT4
Производитель: ST Microelectronics

Описание

Транзисторы\Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 2.4 А; Rси(вкл): 3.6 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2.4 А, Сопротивление открытого канала (мин) 3.6 Ом

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 2,4 А
Тип корпуса DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности 45 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 6.2мм
Высота 2.4мм
Размеры 6.6 x 6.2 x 2.4мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Длина 6.6мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 9 нс
Производитель STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения 19 ns
Серия MDmesh, SuperMESH
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Максимальное сопротивление сток-исток 3.6 Ω
Максимальное напряжение сток-исток 600 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 11,8 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 311 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -30 V, +30 V
EU RoHS Compliant with Exemption
ECCN (US) EAR99
Part Status NRND
HTS 8541.29.00.95
Product Category Power MOSFET
Configuration Single
Process Technology SuperMESH
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Number of Elements per Chip 1
Maximum Drain Source Voltage (V) 600
Maximum Gate Source Voltage (V) ±30
Maximum Continuous Drain Current (A) 2.4
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 3600@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 11.8@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 11.8
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 311@25V
Maximum Power Dissipation (mW) 45000
Typical Fall Time (ns) 14
Typical Rise Time (ns) 14
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 19
Typical Turn-On Delay Time (ns) 9
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Pin Count 3
Standard Package Name TO-252
Supplier Package DPAK
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 2.4(Max)
Package Length 6.6(Max)
Package Width 6.2(Max)
PCB changed 2
Tab Tab
Lead Shape Gull-wing
Id - непрерывный ток утечки 2.4 A
Pd - рассеивание мощности 45 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 3.6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 14 ns
Время спада 14 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение SuperMESH
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 1.8 S
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 2500
Технология Si
Тип MOSFET
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки при включении 9 ns
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка Reel, Cut Tape
Упаковка / блок TO-252-3
Base Product Number STD3NK60 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 2.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.8nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 311pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Other Related Documents http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series SuperMESHв„ў ->
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50ВµA
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 2.4A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 45W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance 3.6О© @ 1.2A,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 600V
Vgs - Gate-Source Voltage 4.5V @ 50uA

Техническая документация

Datasheet
pdf, 932 КБ
Datasheet
pdf, 915 КБ
Datasheet
pdf, 997 КБ
Datasheet
pdf, 757 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах