AO4611
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
430 руб.
от 2 шт. —
330 руб.
от 5 шт. —
261 руб.
от 10 шт. —
236.88 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 430 руб.
Номенклатурный номер: 8007766151
Бренд: Alpha & Omega
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой AO4611 от производителя ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR представляет собой высококачественный компонент для SMD монтажа. Этот N+P-MOSFET транзистор способен работать при токе стока до 3,9 А и напряжении сток-исток до 60 В, обеспечивая мощность до 1,28 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,025 Ом, что гарантирует высокую эффективность при минимальных потерях. Упакованный в компактный корпус SO8, AO4611 идеально подходит для широкого спектра областей применения, включая силовую электронику и управление нагрузками. Его уникальная конструкция обеспечивает отличные тепловые характеристики и долговечность, что делает его незаменимым компонентом в вашей схеме. Код товара для заказа AO4611. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N+P-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 3.9 |
| Напряжение сток-исток, В | 60 |
| Мощность, Вт | 1.28 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.025 |
| Корпус | SO8 |
Технические параметры
| Automotive | Unknown |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | PIN |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 6.3@N ChannelI4.9@P Channel |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 25@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 60 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 2000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Pin Count | 8 |
| Standard Package Name | SOP |
| Supplier Package | SOIC |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 47.6 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 47.6@10VI24.2@4.5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1920@30V |
| Case | SO8 |
| Drain current | 5/-3.9A |
| Drain-source voltage | 60/-60V |
| Gate charge | 24.2/22.8nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of transistor | complementary pair |
| Manufacturer | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 25/42mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 1.28W |
| Type of transistor | N/P-MOSFET |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Документация
pdf, 214 КБ
