2N4401TF

Фото 2/3 2N4401TFФото 3/3 2N4401TF
Фото 1/3 2N4401TF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3059 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
16 руб.
Кратность заказа 133 шт.
от 266 шт.12 руб.
от 399 шт.9.50 руб.
от 1330 шт.6.46 руб.
Добавить в корзину 133 шт. на сумму 2 128 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8008089605
Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание

Малосигнальные NPN-транзисторы, 40–50 В, Fairchild Semiconductor

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 0.75 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Operating Frequency 250 MHz
Number of Elements per Chip 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 1.2 V
Length 5.2мм
Maximum Collector Base Voltage 60 В
Transistor Configuration Одинарный
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 40 В
Package Type TO-92
Maximum Power Dissipation 625 mW
Mounting Type Монтаж на плату в отверстия
Minimum Operating Temperature -50 °C
Width 4.19mm
Maximum DC Collector Current 600 mA
Transistor Type NPN
Height 5.33mm
Pin Count 3
Dimensions 5.2 x 4.19 x 5.33mm
Maximum Emitter Base Voltage 6 V
Minimum DC Current Gain 20
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,2 В
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 40 В
Максимальное рассеяние мощности 625 мВт
Тип транзистора NPN
Число контактов 3
Pd - рассеивание мощности: 625 mW
Вид монтажа: Through Hole
Категория продукта: Биполярные транзисторы-BJT
Конфигурация: Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: 300
Максимальная рабочая температура: +150 C
Максимальный постоянный ток коллектора: 0.6 A
Минимальная рабочая температура: -55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO): 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 40 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 0.75 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO): 6 V
Непрерывный коллекторный ток: 0.6 A
Подкатегория: Transistors
Полярность транзистора: NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 250 MHz
Производитель: onsemi
Размер фабричной упаковки: 2000
Серия: 2N4401
Технология: Si
Тип продукта: BJTs-Bipolar Transistors
Торговая марка: onsemi/Fairchild
Упаковка / блок: TO-92-3 Kinked Lead
Упаковка: Reel, Cut Tape

Техническая документация

Datasheet
pdf, 260 КБ
Datasheet
pdf, 653 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах