BCP56T3G

Фото 2/2 BCP56T3G
Фото 1/2 BCP56T3G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3726 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
39 руб.
Кратность заказа 54 шт.
от 108 шт.29 руб.
от 162 шт.24 руб.
от 486 шт.16.19 руб.
Добавить в корзину 54 шт. на сумму 2 106 руб.
Посмотреть альтернативные предложения3
Посмотреть аналоги20
Номенклатурный номер: 8008092999
Производитель: ON Semiconductor

Описание

NPN-транзисторы общего назначения, до 1 А, ON Semiconductor

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0,5 В пост. тока
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальная рабочая частота 35 МГц
Количество элементов на ИС 1
Длина 6.5мм
Transistor Configuration Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база 100 В
Производитель ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 80 V
Тип корпуса SOT-223
Максимальное рассеяние мощности 1,5 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура -65 °C
Ширина 3.5мм
Максимальный пост. ток коллектора 1 A
Тип транзистора NPN
Высота 1.63мм
Число контактов 3 + Tab
Максимальное напряжение эмиттер-база 5 В
Размеры 6.5 x 3.5 x 1.63мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 25
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 0,5 В пост. тока
Maximum Operating Temperature +150 °C
Конфигурация транзистора Одинарный
Brand ON Semiconductor
Package Type SOT-223
Pin Count 3 + Tab
Maximum Emitter Base Voltage 5 В
Pd - рассеивание мощности 1.5 W
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 25
Конфигурация Single
Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 1 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 130 MHz
Размер фабричной упаковки 4000
Серия BCP56
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок SOT-223-4
Base Product Number BCP56 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 2V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 130MHz
HTSUS 8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Power - Max 1.5W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-223
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V

Техническая документация

Datasheet
pdf, 126 КБ
Datasheet
pdf, 73 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах