KSB834WYTM

KSB834WYTM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
300 руб.
от 10 шт.240 руб.
от 100 шт.156 руб.
от 800 шт.118.04 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 300 руб.
Номенклатурный номер: 8008680520

Технические параметры

Brand: onsemi/Fairchild
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 500 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: -3 A
DC Collector/Base Gain hFE Min: 60
DC Current Gain hFE Max: 200
Emitter- Base Voltage VEBO: 7 V
Factory Pack Quantity: 800
Gain Bandwidth Product fT: 9 MHz
Manufacturer: onsemi
Maximum DC Collector Current: 3 A
Maximum Operating Temperature: +150 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package/Case: SC-70-3
Pd - Power Dissipation: 30 W
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: PNP

Техническая документация

Datasheet
pdf, 146 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов