KSB834WYTM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
300 руб.
от 10 шт. —
240 руб.
от 100 шт. —
156 руб.
от 800 шт. —
118.04 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 300 руб.
Технические параметры
Brand: | onsemi/Fairchild |
Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | -3 A |
DC Collector/Base Gain hFE Min: | 60 |
DC Current Gain hFE Max: | 200 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
Factory Pack Quantity: | 800 |
Gain Bandwidth Product fT: | 9 MHz |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum DC Collector Current: | 3 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package/Case: | SC-70-3 |
Pd - Power Dissipation: | 30 W |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | PNP |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 146 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов