DP0150BLP4-7

DP0150BLP4-7
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3740 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
72 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт.62 руб.
от 100 шт.46 руб.
от 500 шт.35.83 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 144 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8008682110
Производитель: Diodes Incorporated

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP 50V 0.1A 3-PIN SMT

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 450 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.35 mm
Длина 1 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 200 at 2 mA, 6 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.1 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 80 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия DP0150
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок DFN3
Ширина 0.6 mm

Техническая документация

Datasheet
pdf, 249 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах