IRFD9020PBF

IRFD9020PBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
10535 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
260 руб.
от 10 шт.230 руб.
от 100 шт.179 руб.
от 500 шт.147.06 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 260 руб.
Номенклатурный номер: 8008683985
Производитель: Vishay Siliconix

Описание

МОП-транзистор 60V P-CH HEXFET МОП-транзистор H

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 1.6 A
Pd - рассеивание мощности 1.3 W
Qg - заряд затвора 19 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 280 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
Вид монтажа Through Hole
Высота 3.37 mm
Длина 6.29 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора P-Channel
Размер фабричной упаковки 2500
Серия IRFD
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка Tube
Упаковка / блок HVMDIP-4
Ширина 5 mm

Техническая документация

Datasheet IRFD9020PBF
pdf, 260 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах