IXYX25N250CV1HV
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 790 руб.
от 30 шт. —
9 050 руб.
от 120 шт. —
8 440 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 12 790 руб.
Описание
Thin wafer XPT™ technology Low on-state voltages VCE(sat) Co-packed fast recovery diodes Positive temperature coefficient of VCE(sat)
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 2500 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 95 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 937 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | PLUS247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
