IRF540NPBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
430 руб.
от 50 шт. —
310 руб.
от 100 шт. —
233 руб.
от 500 шт. —
183.98 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 430 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 100В, 33А, 140Вт, TO220AB Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Максимальная рабочая температура | +175 °C |
Максимальный непрерывный ток стока | 33 A |
Тип корпуса | TO-220AB |
Максимальное рассеяние мощности | 130 Вт |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Ширина | 4.69мм |
Высота | 8.77мм |
Размеры | 10.54 x 4.69 x 8.77мм |
Материал транзистора | Кремний |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 10.54мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 11 ns |
Производитель | Infineon |
Типичное время задержки выключения | 39 нс |
Серия | HEXFET |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 44 мΩ |
Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
Число контактов | 3 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 71 нКл при 10 В |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 1960 пФ при 25 В |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Id - непрерывный ток утечки | 33 A |
Pd - рассеивание мощности | 140 W |
Qg - заряд затвора | 47.3 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 44 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Другие названия товара № | SP001561906 |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 33A |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 130W |
Rds On - Drain-Source Resistance | 44mО© @ 16A,10V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
Крутизна характеристики S,А/В | 21 |
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 44 |
Температура, С | -55…+175 |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 33A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1960pF @ 25V |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 130W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44mOhm @ 16A, 10V |
Series | HEXFETВ® |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 33 A |
Maximum Drain Source Resistance | 44 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 130 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220AB |
Pin Count | 3 |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
Width | 4.69mm |
Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
Максимальное напряжение сток-исток, В | 100 |
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 33 |
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 44 |
Мощность | рассеиваемая(Pd)-130 Вт |
Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-2В |
Описание | 100V, 33A N-Channel MOSFET |
Способ монтажа | Through Hole |
Тип | MOSFET |
Тип проводимости | N |
Вес, г | 99 |
Техническая документация
Datasheet IRF540NPBF
pdf, 150 КБ
IRF540n datasheet
pdf, 102 КБ
Документация
pdf, 162 КБ
Datasheet IRF540NPBF
pdf, 153 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов