IRFHS8242TRPBF, Транзистор полевой N-канальный 25В 9.9A 6-Pin PQFN EP лента на катушке
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
68 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 38 шт. —
55 руб.
от 75 шт. —
51 руб.
от 150 шт. —
47 руб.
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 476 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 25В 9.9A 6-Pin PQFN EP лента на катушке
Технические параметры
Корпус | PQFN6-(2x2) | |
Id - непрерывный ток утечки | 9.9 A | |
Pd - рассеивание мощности | 2.1 W | |
Qg - заряд затвора | 4.3 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 17 mOhms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Время нарастания | 19 ns | |
Время спада | 5.3 ns | |
Высота | 0.9 mm | |
Длина | 2 mm | |
Другие названия товара № | SP001554858 | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Конфигурация | Single Quint Drain Dual Source | |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 19 S | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 4000 | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Тип транзистора | 1 N-Channel | |
Типичное время задержки выключения | 5.4 ns | |
Типичное время задержки при включении | 6.5 ns | |
Торговая марка | Infineon Technologies | |
Упаковка / блок | PQFN-6 | |
Ширина | 2 mm | |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet IRFHS8242TRPBF
pdf, 248 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов