PN2907ABU

PN2907ABU
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
22 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.18 руб.
от 150 шт.16 руб.
от 1000 шт.13.84 руб.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 220 руб.
Номенклатурный номер: 8009585791
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: ON Semiconductor***

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Brand ON Semiconductor/Fairchild
Collector- Base Voltage VCBO 60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 60 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 0.8 A
DC Current Gain HFE Max 300
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Factory Pack Quantity 10000
Gain Bandwidth Product FT 200 MHz
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current 0.8 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-93-3
Packaging Bulk
Part # Aliases PN2907ABU_NL
Pd - Power Dissipation 625 mW
Product Category Bipolar Transistors-BJT
Product Type BJTs-Bipolar Transistors
Series PN2907A
Subcategory Transistors
Transistor Polarity PNP
Вес, г 0.18

Техническая документация

Datasheet PN2907ABU
pdf, 436 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов