2SA1013-Y, SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT
670 шт., срок 7 недель
16 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
11 руб.
от 300 шт. —
9 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 160 руб.
Описание
160V 500mW 320@200mA,5V 1A PNP SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 1A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 160V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1.5V@500mA, 50mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 160@200mA, 5V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 900mW |
Transistor Type | PNP |
Transition Frequency (fT) | 50MHz |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 476 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.