STP100NF04, Транзистор полевой N-канальный 40В 120A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
119 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
170 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
150 руб.
от 19 шт. —
144 руб.
от 37 шт. —
138 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 510 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 40В 120A
Технические параметры
| Корпус | TO-220AB | |
| Automotive | Yes | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Configuration | Single | |
| ECCN (US) | EAR99 | |
| EU RoHS | Compliant with Exemption | |
| Lead Shape | Through Hole | |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 120 | |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 4.6@10V | |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 40 | |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 | |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 | |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 300000 | |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
| Mounting | Through Hole | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Packaging | Tube | |
| Part Status | Active | |
| PCB changed | 3 | |
| Pin Count | 3 | |
| PPAP | Unknown | |
| Process Technology | STripFET II | |
| Product Category | Power MOSFET | |
| Standard Package Name | TO | |
| Supplier Package | TO-220AB | |
| Tab | Tab | |
| Typical Fall Time (ns) | 50 | |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 110 | |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 110@10V | |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 5100@25V | |
| Typical Rise Time (ns) | 220 | |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 80 | |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 35 | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 120A(Tc) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| FET Feature | - | |
| FET Type | N-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5100pF @ 25V | |
| Manufacturer | STMicroelectronics | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) | |
| Package / Case | TO-220-3 | |
| Power Dissipation (Max) | 300W(Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 50A, 10V | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, STripFETв(ў II | |
| Supplier Device Package | TO-220AB | |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA | |
| Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 959 КБ
Datasheet STP100NF04
pdf, 1119 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
