STF36N60M6, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ M6, полевой, 600В, 19А, Idm: 102А

Фото 1/2 STF36N60M6, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ M6, полевой, 600В, 19А, Idm: 102А
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
15 шт., срок 5 недель
1 330 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 330 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8014888240
Артикул: STF36N60M6
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: STMicroelectronics

Описание

The STMicroelectronics new MDmesh™ M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs.

Технические параметры

Channel Mode Depletion
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 30 A
Maximum Drain Source Resistance 0.085 Ω
Maximum Drain Source Voltage 600 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4.75V
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-220FP
Pin Count 3
Series ST
Transistor Material SiC
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet STF36N60M6
pdf, 256 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах