FGH60N60UFDTU, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 290 Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

990 руб.

от 3 шт. — 920 руб.

от 6 шт. — 862 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 990 руб.

Номенклатурный номер: 8674114295

Артикул: FGH60N60UFDTU

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 290 Вт

Корпус	TO-247
Channel Type	N
Collector Current (DC)	120(A)
Configuration	Single
Gate to Emitter Voltage (Max)	'±20(V)
Mounting	Through Hole
Operating Temperature (Max)	150C
Operating Temperature (Min)	-55C
Operating Temperature Classification	Military
Package Type	TO-247
Packaging	Rail/Tube
Pin Count	3+Tab
Rad Hardened	No
Brand:	onsemi/Fairchild
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.8 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current at 25 C:	120 A
Continuous Collector Current Ic Max:	60 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	30
Manufacturer:	onsemi
Maximum Gate Emitter Voltage:	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Package/Case:	TO-247AB-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	298 W
Product Category:	IGBT Transistors
Product Type:	IGBT Transistors
Series:	FGH60N60UFD
Subcategory:	IGBTs
Technology:	Si
Вес, г	2